檢索結果：共10筆資料 檢索策略： "徐世祥".ccommittee (精準) and ckeyword.raw="氮化鎵"
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隨著功率元件的需求提高，氮化鎵成為被廣泛應用的材料，因為和傳統的矽材料相比，而且氮化鎵有寬能隙、高崩潰電壓、熱穩定性佳、高峰電子速率等優點。氮化鎵和氮化鋁鎵接觸所形成的異質接面時，導致壓電極化…
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改善氮化鎵發光二極體(GaN Light-Emitting Diode)的電流分佈，來得到高發光效率的元件一直是近來年研究的重要議題之一，在使用藍寶石基板(Sapphire)作為發光二極體元件的基板…
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近年來隨著物聯網的蓬勃有越來越多的設備，所有的頻段規格都被規範在IEEE 802.11標準中，故精準地升頻並避免雜訊干擾以獲得正確、穩定地傳輸勢在必行。無線通訊速度在近十年更是以倍數成長，利用壓控振…
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氮化鎵是製作發光二極體最主要的材料之一，而氮化鎵的直接能隙(3.4eV)與氮化銦直接能隙(0.7eV)所混合的三元化合物氮化銦鎵(InGaN)可做為發光二極體以及太陽能電池元件。 由於p型氮化鎵之功…
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本研究旨在探討乾式以及濕式蝕刻對於VCSEL共振腔端面的影響。透過兩種商用矽基板磊晶生長的氮化鎵LED晶圓，我們成功研製出了改善共振腔端面粗糙度的方法，使用KOH和UVO製程，成功將共振腔端面的表面…
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本論文使用商用氮化鎵LED晶圓，利用矽擴散(Silicon Diffusion)製程，選擇性的將部分最上層的p-AlGaN反轉成n-AlGaN，使其結構由p-i-n變成n-p-i-n結構，在同一…
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本論文我們製作了雙波段光偵測器(dual-band photodetector, DBPD)並以雙光源驗證其可行性。此光偵測器是以一般商用的 GaN-based LED磊晶片為基底，並搭配我們實驗室…
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在過去，本實驗室是以氮化鎵磊晶於藍寶石基板(GaN-on-Sapphire)的晶圓，並搭配客製化的磊晶式DBR與介電質DBR做為下上反射鏡，成功製作出垂直共振腔面射型雷射(Vertical-cavi…
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本論文主要研究氮化鎵光偵測器與LED警示燈模組，在功能上做應用端的延伸以及元件改良，使研發模組具有更好的元件性能以及多樣的應用端功能，來實現未來商業化的可能性。 在模組元件氮化鎵光偵測器與L…
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由於希望在未來可以將光電元件與電子元件積體化，而製作電子元件時大部分的基板都是矽，最近氮化鎵晶圓廠商開始商品化氮化鎵磊晶在矽基板(GaN-on-Si)。而在過去，本實驗室是以氮化鎵磊晶在藍寶石…